IGCT集成門(mén)極換流晶閘管(Int ε↕ergrated Gate Commutated Thyristors)是(sh£₽ì)一(yī)種中壓變頻(pín)器(qì)開(kāi)發的(deΩ♣α)用(yòng)于巨型電(diàn)力電(diàn)子(z¶♣ǐ)成套裝置中的(de)新型電(diàn)力半導體(tǐ)開(kāi)關器(qì)件(jiλπ★àn)(集成門(mén)極換流晶閘管=門(mén)極換流晶閘管+門(mén)極單↑"₹元)。1997年(nián)由ABB公司提出。IGCT使變流裝置在
功率、可(kě)靠性、開(kāi)關速度、效率、成本、重量和☆× ↓(hé)體(tǐ)積等方面都(dōu)取得(de)了(le)巨大(dà)進展,給電φ>(diàn)力電(diàn)子(zǐ)成套裝置♥π★帶來(lái)了(le)新的(de)飛(fēi)躍。IGCT是(shì)将Gβ¶♥βTO芯片與反并聯二極管和(hé)門(mén)極驅動電(diàn)路(lù)集成在一(yī)起,再與÷∑±Ω其門(mén)極驅動器(qì)在外(wà<i)圍以低(dī)電(diàn)感方式連接,結合了(le)晶體(tǐ)管的(de)穩定關斷能(™€♣néng)力和(hé)晶閘管低(dī)通(tōng)态損耗的(≠↓$de)優點,在導通(tōng)階段發揮晶閘管的(de)性能(néng),關斷階段呈現(xiàn)晶σ≤體(tǐ)管的(de)特性。IGCT具有(yǒu)電(dià®εφ↔n)流大(dà)、阻斷電(diàn)壓高(gāo)、開(kā&→i)關頻(pín)率高(gāo)、可(kě)靠性高(gāo)÷✔ππ、結構緊湊、低(dī)導通(tōng)損耗等特點,而且造成本低(dī),成品率高(σγ ♦gāo),有(yǒu)很(hěn)好(hǎo)的(de)應用(yòng) 己用(yòng)♣ ×于電(diàn)力系統電(diàn)網裝置(100MV↔γ✘A)和(hé)的(de)中功率工(gōng)業 ∏δ (yè)驅動裝置(5MW)IGCT在中壓變頻(pín)器(qì)♣↕±領域內(nèi)成功的(de)應用(yòng)了(le)11年(niá♥☆↓↔n)的(de)時(shí)間(jiān)(到(dào)09年(nián)為(wèi)止),>'由于IGCT的(de)高(gāo)速開(kāi)關能(né♦↓πng)力無需緩沖電(diàn)路(lù),因而所需的(de)功率元件(ji©αàn)數(shù)目更少(shǎo),運行(xíng)的(≠✔≈↓de)可(kě)靠性大(dà)大(dà)增高(gāo÷≥)。
IGCT集IGBT(絕緣門(mén)極雙極性晶體(tǐ)管)的(de)$≠♦高(gāo)速開(kāi)關特性和(hé)GTO(門(mé∑↔"↕n)極關斷品閘管)的(de)高(gāo)阻斷電(diàn)壓和(hé)低(↑φdī)導通(tōng)損耗特性于一(yī)體(tǐ),一(yī)般觸發信号±π通(tōng)過光(guāng)纖傳輸到(dào♦©↑≠)IGCT單元。在ACS6000的(de)有♦×π(yǒu)緣整流單元的(de)相(xiàng)模φσ塊裡(lǐ),每相(xiàng)模塊由IGCT和(hé)二極管、鉗位電(diàn)容組成¶π₽,由獨立的(de)門(mén)極供電(diàn)單元GUSP為(wèi )其提供能(néng)源。

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CPU模塊
CPU模塊主要(yào)由微(wēi)處理(lǐ)器(qì)(CPU芯片)和(hé)存儲器(qìγ$)組成。在PLC控制(zhì)系統中,工(gōng)廠(chǎng)CPU模塊相(xiàng)÷↕&當于人(rén)腦(nǎo)。它持續收集輸入信号,執行(xíng)用(yòng)戶程序,并刷π™✔☆新系統的(de)輸出;內(nèi)存用(yòng)γσ<☆于存儲程序和(hé)數(shù)據。
2.I/O模塊
輸入模塊和(hé)輸出模塊簡稱為(wèi)I/O模塊。它們是(shì)€♣φ×系統的(de)眼睛、耳朵、手和(hé)腳,是(shì)外(wài)部現(x∞ iàn)場(chǎng)設備和(hé)CPU模塊之間(jiān)的(de)橋梁。
輸入模塊用(yòng)于接收和(hé)采集輸入信号,開(kāi)關輸入模塊用(yòng)于ε≤接受從(cóng)按鈕;來(lái)自(zì)選擇器(qì)開¥♦(kāi)關、數(shù)字撥盤開(kāi)關、₹←₽•限位開(kāi)關、接近(jìn)開(kāi)關、光(guā§©ng)電(diàn)開(kāi)關、壓力繼α♦± 電(diàn)器(qì)等的(de)開(kāi)關輸入信号;模拟輸入模塊用∞↑ (yòng)于接收電(diàn)位計(jì)、測速發電(diàn£→)機(jī)和(hé)各種變送器(qì)₩ £≤提供的(de)連續變化(huà)的(de)模拟電(diàn)流和(hé)電(diπ᧧àn)壓信号。
開(kāi)關輸出模塊用(yòng)于控制(zhì)接觸器(qì)、電(diàn)磁閥±×•、電(diàn)磁鐵(tiě)、指示燈、數(shù)字顯示裝置和(hé™✔↔)報(bào)警裝置等輸出設備,而模拟輸出模塊則用(yòng)于控制(zhπδβδì)調節閥和(hé)變頻(pín)器(qì)等執行(xíng)機(jī)構。
CPU模塊的(de)工(gōng)作(zuò)電(dià♥™n)壓一(yī)般為(wèi)5V,而PLC的(→☆βde)輸入/輸出信号電(diàn)壓一(yī)般較高(gāo),如(rε ú)DC 24V和(hé)AC 220V。從(cóng)外(wài)部引入的(de×↓)尖峰電(diàn)壓和(hé)幹擾噪聲可(kě)能(néng)會(huì)損壞CPπ♥U模塊中的(de)組件(jiàn)或使PLC無法正常工(gōng) ¶§¶作(zuò)。在I/O模塊中,使用(yòng)光(guāng)耦合器(qì)、光(guā∑εng)電(diàn)晶閘管、小(xiǎo)繼電(diàn)器(qì)等器(qì)件(jiàn)來"±(lái)隔離(lí)PLC的(de)內(nèiπ→)部電(diàn)路(lù)和(hé)外(wài)部I/O電(diàn)路(lù)。除了(le)傳≥×♥$輸信号外(wài),I/O模塊還(hái)具有(yǒu)電(♠≤≠§diàn)平轉換和(hé)隔離(lí)功能(néng)。
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ABB | 3BHB003154R0101 |
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